LED 外延片工艺流程如下：
衬底 - 结构设计- 缓冲层生长- N型GaN 层生长- 多量i子阱发光层生- P 型GaN 层生长- 退火- 检测（光荧光、X 射线） - 外延片；
外延片- 设计、加工掩模版- 光刻- 离子刻蚀- N 型电极（镀膜、退火、刻蚀） - P 型电极（镀膜、退火、刻蚀） - 划片- 芯片分检、分级
具体介绍如下：
固定：将单晶硅棒固定在加工台上。
切片：将单晶硅棒切成具有精i确几何尺寸的薄硅片。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。
退火：双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热至300~500℃，硅片表面和氧气发生反应，使硅片表面形成二氧化硅保护层。
倒角：将退火的硅片进行修整成圆弧形，防止硅片边缘破i裂及晶格缺陷产生，增加磊晶层及光阻层的平坦度。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。
分档检测：为保证硅片的规格和质量，对其进行检测。此处会产生废品。
研磨：用磨片i剂除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层，有效改善单晶硅片的曲度、平坦度与平行度，达到一个抛光过程可以处理的规格。此过程产生废磨片i剂。
清洗：通过有机i溶剂的溶解作用，结合超声波清洗技术去除硅片表面的有机杂质。此工序产生有机废气和废有机i溶剂。
RCA清洗：通过多道清洗去除硅片表面的颗粒物质和金属离子。
电子芯片和LED芯片有什么主要区别？
1，芯片的裸die尺寸相差不是太大，如cm/mm/0.1mm这个量级，但同样大小的集成电路里面有非常复杂的电路（常说的7nm/10nm工艺），IC设计和制造一样为非常复杂高难度的工程，由此衍生既像Intel、三星这样设计制造一体的公司，也有高通、苹果这样的Fabless公司及台积电这样的代工厂；而分立器件一颗die就是独立的一个发光源再加上正负电极，里面的制程可能100um/10um级就够了，制造工艺流程也简单很多，从头到尾一百次左右工序就差不多了。更谈不上独立的LED IC设计公司。
2，芯片制造厂对清洁和低缺陷率要求很高，前者可能影响性能，缺陷多了，载流子移动速度上不来，如同一批货，有的能跑2.8GHz频率，有的只能跑2G以下；LED芯片对发光层缺陷率的要求比硅器件还要高几个数量级（印象中数据），否则严重影响发光效率，也就是很大部分能量以热能形式损失掉了。LED技术和产品已有几十年历史，但大规模使用（如液晶屏幕背光）是这二十年来的事情，材料不行导致发光效率低是首要原因。
蓝光LED通常采用Al2O3衬底，Al2O3衬底硬度很高、热导率和电导率低，如果采用正装结构，一方面会带来防静电问题，另一方面，在大电流情况下散热也会成为较为主要的问题。
同时由于正面电极朝上，会遮掉一部分光，发光效率会降低。
大功率蓝光LED通过芯片倒装技术可以比传统的封装技术得到更多的有效出光。
现在主流的倒装结构做法是：首先制备出具有适合共晶焊接电极的大尺寸蓝光LED芯片，同时制备出比蓝光LED芯片略大的硅衬底，并在上面制作出供共晶焊接的金导电层及引出导线层(超声金丝球焊点)。
然后，利用共晶焊接设备将大功率蓝光LED芯片与硅衬底焊接在一起。
这种结构的特点是外延层直接与硅衬底接触，硅衬底的热阻又远远低于蓝宝石衬底，所以散热的问题很好地解决了。
由于倒装后蓝宝石衬底朝上，成为出光面，蓝宝石是透明的，因此出光问题也得到解决。
以上就是LED技术的相关知识，相信随着科学技术的发展，未来的LED灯回越来越高i效，使用寿命也会由很大的提升，为我们带来更大便利。
贴片LED分类
1、按发光管发光颜色分
按发光管发光颜色分，可分成红色、橙色、绿色（又细分黄绿、标准绿和纯绿）、蓝光等。另外，有的发光二极管中包含二种或三种颜色的芯片。
根据发光二极管出光处掺或不掺散射剂、有色还是无色，上述各种颜色的发光二极管还可分成有色透明、无色透明、有色散射和无色散射四种类型。散射型发光二极管适合于做指示灯用。
2、按发光管出光面特征分
按发光管出光面特征分圆灯、方灯、矩形、面发光管、侧向管、表面安装用微型管等。圆形灯按直径分为φ2mm、φ4.4mm、φ5mm、φ8mm、φ10mm及φ20mm等。国外通常把φ3mm的发光二极管记作T-1；把φ5mm的记作T-1（3/4）；把φ4.4mm的记作T-1（1/4）。由半值角大小可以估计圆形发光强度角分布情况。
以上信息由专业从事uv led模组报价的杰生半导体于2024/5/7 9:20:57发布
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